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PSMN013-80YS,115  与  BSC123N08NS3 G  区别

型号 PSMN013-80YS,115 BSC123N08NS3 G
唯样编号 A-PSMN013-80YS,115 A-BSC123N08NS3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10.3mΩ
上升时间 - 18ns
漏源极电压Vds 80V 80V
Pd-功率耗散(Max) 106W 66W
Qg-栅极电荷 - 25nC
输出电容 224pF -
栅极电压Vgs 3V 20V
正向跨导 - 最小值 - 22S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 60A 55A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
输入电容 2420pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 12.9mΩ@10V -
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.7832
100+ :  ¥4.3812
1,000+ :  ¥3.5911
1,500+ :  ¥3.1227
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN013-80YS,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-80YS_SOT669 N-Channel 106W 175°C 3V 80V 60A

¥5.7832 

阶梯数 价格
1: ¥5.7832
100: ¥4.3812
1,000: ¥3.5911
1,500: ¥3.1227
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